砷单晶俄歇电子能谱检测

检测项目

表面元素分析：测定砷单晶表面元素种类和浓度。参数：能量范围50-2000 eV，检测限0.1 at%。

化学状态分析：通过俄歇峰位移识别化学键合状态。参数：峰位精度±0.1 eV。

深度剖析：结合离子溅射进行层状元素分析。参数：溅射速率0.1 nm/s，深度分辨率5 nm。

污染检测：识别表面污染物如碳和氧。参数：灵敏度1E12 atoms/cm²。

界面分析：研究砷单晶与其他材料界面组成。参数：空间分辨率10 nm。

氧化状态分析：测定砷的氧化态。参数：俄歇参数计算。

元素分布 mapping：生成二维表面元素分布图。参数：扫描步长1 μm，分辨率100 nm。

定量分析：使用标准样品进行元素定量。参数：相对误差±5%。

角分辨俄歇电子能谱：分析表面电子结构。参数：角度范围0-90度。

能谱校准：使用标准样品校准能谱仪能量标尺。参数：能量校准精度±0.05 eV。

表面灵敏度分析：评估表面几个原子层内的元素信息。参数：信息深度2-3 nm。

俄歇电子产额测量：测定特定元素的俄歇电子强度。参数：产额误差±3%。

检测范围

砷化镓单晶：用于高频电子器件表面分析。

砷化铟单晶：红外探测器材料表面表征。

高纯砷单晶：基础研究样品表面组成检测。

掺杂砷单晶：掺杂浓度和分布分析。

砷基化合物半导体：如GaAs和InAs表面分析。

微电子器件表面：集成电路中砷材料表面。

纳米结构砷材料：纳米线和量子点表面分析。

光伏材料：太阳能电池用砷化合物表面。

生物传感器表面：砷基生物传感器表面组成。

腐蚀研究样品：砷单晶腐蚀表面分析。

半导体外延层：砷单晶外延生长层表面。

电子材料界面：砷单晶与金属或介质界面。

检测标准

ASTM E984：俄歇电子能谱仪校准和操作指南。

ISO 15472：表面化学分析-X射线光电子能谱仪能量标尺校准。

GB/T 17359：微束分析-俄歇电子能谱分析方法。

ISO 18118：表面化学分析-俄歇电子能谱和X射线光电子能谱-均匀材料定量分析。

ASTM E827：俄歇电子能谱仪性能表征。

GB/T 19500：表面化学分析-X射线光电子能谱方法。

ISO 20903：表面化学分析-俄歇电子能谱-重复性和一致性评估。

ASTM E673：表面分析术语定义。

检测仪器

俄歇电子能谱仪：高真空表面分析仪器，用于激发和检测俄歇电子，进行元素和化学状态分析。

离子溅射枪：用于样品表面清洁和深度剖析，通过离子轰击移除表面层。

电子枪：提供聚焦电子束以激发俄歇电子，能量可调范围1-10 keV。

能量分析器：分析俄歇电子能量分布，类型为筒镜分析器或半球分析器，能量分辨率0.1%。

样品台：高精度定位系统，用于样品移动和倾斜，定位精度1 μm。

真空系统：维持超高真空环境，压力低于1E-9 mbar，以减少气体吸附和干扰。

探测器系统：用于计数俄歇电子信号，灵敏度高达1000 counts/s。