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阈值电压检测:测量MOSFET器件的开启电压特性;具体参数包括Vth值、温度系数和电压扫描范围。
漏电流检测:评估器件在关态下的电流泄漏;具体参数包括Ioff值、电压偏置条件和温度依赖性。
饱和电流检测:分析器件的最大驱动能力;具体参数包括Idsat值、栅极电压设置和负载条件。
亚阈值摆幅检测:测量器件亚阈值区的开关特性;具体参数包括SS值、斜率因子和电流-电压曲线。
迁移率检测:评估载流子在沟道中的移动性;具体参数包括μ值、电场强度和温度变化。
电容-电压特性检测:分析器件界面和氧化层特性;具体参数包括C-V曲线、平带电压和电容值。
电阻检测:测量各种电阻参数;具体参数包括源极电阻、漏极电阻和接触电阻。
延迟时间检测:评估信号传播性能;具体参数包括传输延迟、上升时间和下降时间。
功耗检测:测量静态和动态功耗;具体参数包括静态电流、动态电流和功率损耗。
噪声检测:分析器件的噪声性能;具体参数包括噪声频谱、信噪比和频率响应。
CMOS逻辑电路:用于数字集成电路的工艺角参数分析。
模拟集成电路:包括运算放大器、数据转换器等模拟器件的检测。
存储器器件:涵盖SRAM、DRAM和Flash存储器的性能评估。
功率半导体器件:如MOSFET和IGBT的极端条件测试。
射频器件:用于无线通信电路的参数扫描。
传感器器件:包括MEMS和光电传感器的电学特性检测。
光电器件:如激光二极管和光电探测器的性能分析。
集成电路封装:评估封装对器件参数的影响。
半导体晶圆材料:硅、砷化镓等基板的工艺角测试。
微电子机械系统:MEMS器件的机械和电学参数扫描。
ASTM F1241:半导体器件直流参数测试标准。
ISO 16750:道路车辆电子电气组件环境测试标准。
GB/T 4588.1:印制板技术条件总规范。
IEC 60749:半导体器件机械和气候试验方法。
JEDEC JESD22:固态技术协会环境测试标准。
GB/T 17573:半导体器件分立器件和集成电路总则。
ISO 9001:质量管理体系要求。
GB/T 19001:质量管理体系国家标准。
ASTM B539:电气接触电阻测试标准。
IEC 61000:电磁兼容性测试标准。
参数分析仪:用于直流电学参数测量;功能包括电压-电流特性扫描和阈值电压检测。
半导体参数测试系统:集成多测试功能;功能支持自动化参数扫描和多器件并行测试。
电容-电压测量仪:专门用于电容特性分析;功能包括界面陷阱密度和氧化层厚度测量。
噪声分析仪:测量器件噪声性能;功能涵盖噪声频谱分析和信噪比评估。
温度控制 chamber:提供可控温度环境;功能用于温度依赖性参数测试和极端条件模拟。
探针台:用于晶圆级测试连接;功能实现测试仪器与器件的电气接触。
信号发生器:产生测试信号;功能应用于动态参数如延迟时间测量。
示波器:捕获信号波形;功能用于上升时间、下降时间和传输延迟分析。
网络分析仪:测量高频参数;功能包括S参数扫描和射频器件性能评估。
数据采集系统:记录和分析测试数据;功能实现自动化数据记录和参数计算。