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自旋极化率测量:定量分析材料中自旋极化程度;具体检测参数包括极化率百分比、测量误差范围±0.1%。
磁电阻测试:评估磁场下电阻变化特性;具体检测参数包括磁电阻比率、磁场强度范围0-2T。
自旋弛豫时间测定:分析自旋极化衰减动力学;具体检测参数包括时间常数、温度范围77-300K。
霍尔效应测量:确定载流子类型和浓度;具体检测参数包括霍尔系数、载流子密度精度1e15/cm³。
各向异性磁电阻分析:研究电阻随磁场方向变化;具体检测参数包括各向异性比率、角度分辨率0.1°。
自旋注入效率评估:测量自旋电流注入效果;具体检测参数包括注入效率百分比、界面电阻值。
自旋扩散长度确定:量化自极化载流子扩散距离;具体检测参数包括扩散长度、材料厚度相关性。
磁化曲线测试:绘制材料磁化随磁场变化;具体检测参数包括饱和磁化强度、矫顽力精度1Oe。
自旋阀效应检测:分析自旋阀结构电阻变化;具体检测参数包括巨磁电阻比率、层厚控制精度0.1nm。
自旋轨道耦合强度测量:评估自旋轨道相互作用;具体检测参数包括耦合常数、能带结构参数。
自旋波频谱分析:研究自旋波传播特性;具体检测参数包括频率范围、波矢量分辨率。
磁性薄膜:用于自旋电子器件的基础材料层。
半导体异质结:涉及自旋注入和传输的复合结构。
铁磁金属合金:如铁钴镍基材料,用于磁性组件。
自旋阀器件:应用于磁传感器和存储器的多层结构。
拓扑绝缘体:具有表面自旋极化特性的量子材料。
稀释磁性半导体:结合半导体和磁性性质的合成材料。
多铁性材料:同时 exhibit 铁电和铁磁行为的复杂系统。
自旋扭矩振荡器:用于微波发生器的自旋电子器件。
超导体-铁磁异质结:研究自旋相关超导现象的界面系统。
纳米线和量子点:低维自旋系统,用于量子计算研究。
磁性纳米粒子:应用于生物医学和数据存储的颗粒材料。
ISO 17567:2005 磁性材料直流磁性能测量方法。
GB/T 3217-2013 磁性材料基本参数测量规程。
ASTM A341-16 直流磁性能测试标准方法。
IEC 60404-5 磁性材料永磁测量技术规范。
GB/T 13888-2008 磁性材料术语和定义标准。
ISO 19880-1 气体电子自旋共振测量指南。
ASTM E384-17 材料微磁性能测试标准。
GB/T 20219-2015 薄膜材料磁性能测量方法。
振动样品磁强计:高精度测量材料磁化强度;功能用于自旋极化率相关的磁性能定量分析。
超导量子干涉器件磁强计:提供极高磁场灵敏度;功能检测弱磁场下的自旋极化和弛豫效应。
自旋极化扫描隧道显微镜:实现原子级自旋成像;功能直接观察和量化表面自旋极化状态。
磁光克尔效应仪:利用偏振光探测磁化;功能测量薄膜材料的自旋极化率和各向异性。
电子自旋共振谱仪:研究未配对电子自旋;功能测定自旋弛豫时间、g因子和极化程度。
霍尔效应测量系统:评估载流子传输特性;功能支持自旋相关电导和迁移率分析。