检测服务
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太阳能级多晶硅检测
检测范围
检测中心的实验室可以提供的太阳能级多晶硅检测范围包括：
p型多晶硅、n型多晶硅、p-n结多晶硅、双结多晶硅、多结多晶硅、多晶硅薄膜、多晶硅薄片等。
检测项目
太阳能级多晶硅检测项目包括以下常见的几种：
电阻率、载流子浓度、载流子迁移率、表面态密度、晶格缺陷密度、杂质浓度、光电转换效率、光吸收系数、光反射率、光透过率、光散射系数、光伏特性等。
检测方法
电阻率测量：使用四探针测量法或霍尔效应测量法来确定多晶硅的电阻率。
载流子浓度测量：通过霍尔效应测量或电子探测器测量来确定多晶硅中的载流子浓度。
表面态密度测量：使用表面态密度测量仪器，如溶液接触法或电容-电压法来测量多晶硅表面态密度。
晶格缺陷密度测量：通过测量多晶硅样品的光反射率或荧光光谱等方法来评估其晶格缺陷密度。
杂质浓度测量：使用质谱仪、电子能谱仪或电感耦合等离子体质谱仪等仪器来测量多晶硅中的杂质浓度。
光电转换效率测量：通过制作太阳能电池并使用太阳模拟器以及光电参数测试仪来测量多晶硅的光电转换效率。
光吸收率测量：使用分光光度计或分光反射光谱仪等仪器来测量多晶硅材料的光吸收率。
光反射率测量：使用分光反射光谱仪或反射光度计等仪器来测量多晶硅材料的光反射率。
光透过率测量：通过分光透射光谱仪或透射光度计等仪器来测量多晶硅材料的光透过率。
光散射系数测量：使用散射光度计或散射光谱仪等仪器来测量多晶硅材料的光散射系数。
光伏特性测量：使用太阳能电池测试系统或光电参数测试仪等仪器来测量多晶硅材料的光伏特性，如开路电压、短路电流、填充因子和转换效率等。
试验周期
一般7-10个工作日出具报告，可加急。
注意：因业务调整，暂不接受个人委托。
标准
GB/T 10067.416-2019电热和电磁处理装置基本技术条件 第416部分:多晶硅铸锭炉
GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
GB/T 25074-2017太阳能级多晶硅
GB/T 32652-2016多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料
GB/T 37051-2018太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
GB/T 10067.416-2019电热和电磁处理装置基本技术条件 第416部分:多晶硅铸锭炉
GB/T 12963-2022电子级多晶硅
GB/T 15909-2017电子工业用气体 硅烷
GB/T 18916.47-2020取水定额 第47部分：多晶硅生产
GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24582-2009酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
检测试验仪器
太阳能级多晶硅检测时通常需要以下仪器设备：
四探针测量仪、霍尔效应测量仪、电子探测器、表面态密度测量仪、光反射率测量仪、荧光光谱仪、质谱仪、电子能谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、太阳模拟器、光电参数测试仪、分光光度计、分光反射光谱仪、透射光度计、散射光度计、太阳能电池测试系统等。
检测流程
确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；
制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；
签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；
进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；
数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。
检测中心优势
检测中心资质
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