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氮化镓单晶衬底片检测
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检测范围
检测中心的实验室可以提供的氮化镓单晶衬底片检测范围包括：
高纯氮化镓单晶衬底片、低面密度氮化镓单晶衬底片、低位错密度氮化镓单晶衬底片、低面粗糙度氮化镓单晶衬底片、低脱附密度氮化镓单晶衬底片、低背面反射率氮化镓单晶衬底片、低电阻氮化镓单晶衬底片、低漏电流氮化镓单晶衬底片等。
检测项目
氮化镓单晶衬底片检测项目包括以下常见的几种：
尺寸检测、晶体质量检测、表面平整度检测、表面质量检测、电阻率检测、载流子浓度检测、X射线衍射分析、脱附密度检测、位错密度检测、透明度检测、光学性能检测、热膨胀系数检测、热导率检测、漏电流检测、背面反射率检测、耐热性检测、耐化学腐蚀性检测等。
检测方法
晶体质量检测：利用X射线衍射仪对衬底片进行衍射分析，分析晶体的晶面结构和取向，评估晶体质量的好坏。
表面平整度检测：通过光学显微镜或原子力显微镜等观察衬底片表面的平整度，评估表面的光滑程度和表面缺陷情况。
表面质量检测：利用光学显微镜或扫描电子显微镜等观察衬底片表面的杂质、气泡、裂纹等缺陷，评估表面质量的好坏。
电阻率检测：使用四探针电阻计等仪器，测量衬底片的电阻率，评估导电性能的好坏。
载流子浓度检测：通过光电导法、霍尔效应等方法，测量衬底片中载流子的浓度，评估材料的电学性能。
透明度检测：使用光谱分析仪或透光率测量仪，测量衬底片的透明度，评估其在光学应用中的性能。
热膨胀系数检测：利用热膨胀仪等仪器，测量衬底片在不同温度下的线膨胀系数，评估材料的热膨胀性能。
漏电流检测：使用漏电流测试仪等设备，测量衬底片在一定电压下的漏电流，评估其绝缘性能。
背面反射率检测：利用反射光谱仪等设备，测量衬底片背面的反射率，评估其在光电器件中的反射性能。
试验周期
一般7-10个工作日出具报告，可加急。
注意：因业务调整，暂不接受个人委托。
检测标准(部分)
参考标准
GB/T 32188-2015氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
GB/T 32189-2015氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
GB/T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
GB/T 41751-2022氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
SJ 21442-2018GaN-SI 型半绝缘氮化镓单晶片规范
SJ 21443-2018GaN-N 型低阻氮化镓单晶片规范
服务信息
检测试验仪器
氮化镓单晶衬底片检测试验时通常需要以下仪器设备：
光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、四探针电阻计、光电导法测量仪、霍尔效应测量仪、光谱分析仪、透光率测量仪、热膨胀仪、漏电流测试仪、反射光谱仪等。
检测流程
确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；
制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；
签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；
进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；
数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。
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