硅单晶电阻率测定

发布时间：2024-11-25 11:20:40 咨询量：1922+

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• 检测范围

  单晶硅、多晶硅、掺杂单晶硅、高纯单晶硅、n型单晶硅、p型单晶硅、Czochralski单晶硅、Float Zone单晶硅、电子级单晶硅、太阳能级单晶硅、光导纤维用单晶硅、功率器件用单晶硅、集成电路用单晶硅等。
  
  

  测试方法

  四探针法：使用四探针探头接触硅单晶表面，通过测量探头间的电压和电流来计算电阻率。

  范德堡法：一种非接触式测量技术，通过在硅单晶样品的边缘贴上电极，利用特殊的数学公式计算电阻率。

  电导法：通过测量硅单晶的电导率来间接计算其电阻率。

  霍尔效应法：利用霍尔效应测量硅单晶的载流子浓度和迁移率，进而计算电阻率。

  电流-电压(I-V)特性测试：通过测量硅单晶在不同电流和电压下的I-V特性，计算其电阻率。

  温度依赖性测试：在不同温度下测量硅单晶的电阻率，分析其随温度变化的特性。

  深度剖析法：结合化学或物理刻蚀技术，测量硅单晶不同深度的电阻率分布。

  光电导法：利用光照改变硅单晶的电导率，通过测量光照射前后的电阻率变化来分析其导电性能。

• 检测标准

  GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

  GB/T 40007-2021 纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则

  GB/T 12632-1990 单晶硅太阳电池总规范

  GJB 1431A-2014 空间用单晶硅太阳电池通用规范

  DB61/T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则

  DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片

  JC/T 1048-2007 单晶硅生长用石英坩埚

  SJ/T 10173-1991 TDA75单晶硅太阳电池

• 检测流程

  确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；

  制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；

  签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；

  进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；

  数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。

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服务流程

• 测试对象确定和准备

  确认测试对象，进行初步检查和准备工作。对于需要采样的测试，确认样品寄送或上门采样的具体安排。

• 实验方案验证

  制定实验方案并与委托方进行确认和协商。验证实验方案的可行性和有效性，以确保测试结果的精度和可靠性。

• 委托书签订和费用支付

  签署委托书，明确测试的内容、标准、报告格式等细节。确认测试费用并按照约定进行支付。

• 试验测试执行

  照实验方案进行试验测试，记录数据并进行必要的控制和调整。确保测试过程中数据收集和处理的准确性和规范性。

• 数据整理和测试报告出具

  对试验测试过程中获得的数据进行分析和归纳，撰写测试报告并进行审核。出具符合要求的测试报告，并将测试结果及时反馈给委托方。

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