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多晶硅纯度检测

多晶硅纯度检测

多晶硅纯度检测哪里可以做呢?中析研究所检测中心实验室拥有多台套的国内外先进仪器设备,作为一家综合性的科研检测机构,能够实现对不同样品的标准或非标准项目进行检验测试,在客户的生产、销售、质控等方面提供科学严谨的数据支持并出具测试报告。.

多晶硅纯度检测技术及应用

简介

多晶硅是光伏产业和半导体工业的核心原材料,其纯度直接影响下游产品的性能。例如,光伏电池的光电转换效率、半导体器件的电学特性均与多晶硅的杂质含量密切相关。纯度检测作为多晶硅生产与质量控制的核心环节,能够为材料性能评估、生产工艺优化提供科学依据。随着新能源和电子信息产业的快速发展,多晶硅纯度检测技术的重要性日益凸显。

适用范围

多晶硅纯度检测主要服务于以下领域:

  1. 光伏行业:用于太阳能级多晶硅的杂质分析,确保电池片效率达标。
  2. 半导体制造:电子级多晶硅需满足更高纯度要求(通常≥99.9999999%),以保障芯片良率。
  3. 材料研发:支持新型硅基材料(如N型硅、颗粒硅)的开发与性能验证。
  4. 贸易与监管:为进出口检验、行业标准认证提供技术支撑。

检测项目及简介

多晶硅纯度检测涵盖物理、化学及电学性质的综合分析,核心项目包括:

  1. 总金属杂质含量 金属杂质(如Fe、Cu、Ni)会显著降低半导体器件的载流子寿命。检测需覆盖痕量级(ppb级)元素,常用辉光放电质谱法(GDMS)或电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)。

  2. 碳含量 碳杂质可能形成碳化硅夹杂物,影响晶体结构。检测方法以红外吸收光谱(FTIR)为主,通过测量Si-C键的特征吸收峰定量分析。

  3. 氧含量 氧元素在高温工艺中可能形成氧沉淀,导致晶格缺陷。采用低温傅里叶变换红外光谱(LT-FTIR),检测波数为1107 cm⁻¹的Si-O-Si振动峰。

  4. 施主/受主杂质浓度 硼(B)、磷(P)等掺杂剂需精确控制。四探针电阻率测试结合霍尔效应分析可测定载流子浓度,推断杂质分布。

  5. 表面污染物 包括有机物、颗粒物等,通过气相色谱-质谱联用(GC-MS)和激光粒度分析仪进行表征。

检测参考标准

多晶硅纯度检测需遵循国际及行业标准,主要包括:

  • GB/T 24584-2023 《多晶硅 痕量元素含量的测定 辉光放电质谱法》
  • ASTM F1724-2021 《Standard Test Method for Measurement of Metal Impurities in Polycrystalline Silicon by High-Mass-Resolution Glow Discharge Mass Spectrometry》
  • SEMI PV17-0612 《Guide for Specification of Solar Grade Silicon Materials》
  • IEC 60749-5:2020 《Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test》

检测方法及相关仪器

  1. 辉光放电质谱法(GDMS) 原理:通过辉光放电产生离子化样品,利用高分辨率质谱分离并检测杂质元素。 仪器:Thermo Scientific Element GD、Nu Instruments Astrum 优势:检出限低至0.01 ppb,可同时分析50余种元素。

  2. 傅里叶变换红外光谱(FTIR) 原理:基于分子振动对红外光的特征吸收,定量测定C、O等轻元素。 仪器:Bruker VERTEX 80v、PerkinElmer Frontier 操作要点:需将样品制备成1-2 mm厚度的抛光片,消除表面散射干扰。

  3. 二次离子质谱(SIMS) 原理:用高能离子束轰击样品表面,检测溅射出的二次离子。 仪器:CAMECA IMS 7f、PHI nanoTOF II 应用:适用于纵向杂质分布分析,深度分辨率达纳米级。

  4. 电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES) 原理:通过等离子体激发样品产生特征光谱,用于金属杂质定量。 仪器:Agilent 5110、PerkinElmer Avio 500 局限性:对高纯样品需结合酸溶解前处理,可能引入污染风险。

  5. 低温光致发光谱(LT-PL) 原理:在液氦温度下检测杂质相关的发光峰,识别B、P等浅能级杂质。 仪器:Horiba LabRAM HR Evolution 数据解析:需结合标准数据库进行峰位匹配与半定量计算。

技术挑战与发展趋势

当前检测技术面临两大挑战:一是超痕量杂质(如Al、Ca)的精准定量,二是晶界、缺陷处杂质分布的微观表征。未来发展方向包括:

  • 联用技术:如GDMS-TOF-SIMS组合实现全元素覆盖与微区分析。
  • 原位检测:开发适用于硅熔体的在线监测设备,减少取样误差。
  • 人工智能辅助:通过机器学习优化光谱解析速度与准确性。

结语

多晶硅纯度检测是保障新能源与电子信息产业高质量发展的基石。随着检测技术的革新与标准的完善,其将在材料性能提升、生产工艺优化中发挥更关键的作用。行业需持续投入研发资源,推动检测方法向更高灵敏度、更快响应速度迈进。

检测标准

GB/T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块

GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅

GB/T 33236-2016 多晶硅 痕

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