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检测服务

三氯氢硅检测

三氯氢硅检测

发布时间:2024-05-16 14:43:44 检测周期:7-10个工作日 点击量: 292

三氯氢硅(SiHCl3)检测通常用于确保工业环境中三氯氢硅的浓度在安全范围内,避免对人员健康和设备造成危害。中析研究所检测中心提供全面的三氯氢硅检测服务,依据标准规范中的试验方法,对三氯氢硅检测的成分分析、性能检测...

检测服务

三氯氢硅检测项目

成分分析、性能检测、水解性、纯度、机械性能、含量检测、杂质含量测定、总碳的测定、氯硅烷含量测定等。

三氯氢硅检测

检测方法参考

三氯氢硅检测方法包括:

成分分析:对三氯氢硅中各组分进行定性和定量分析。

性能检测:评估三氯氢硅的物理和化学性能,如挥发性、稳定性等。

水解性:检测三氯氢硅水解生成硅酸和氯化氢的能力。

纯度:测定三氯氢硅的纯度,即不含杂质的三氯氢硅的质量分数。

机械性能:对于用作半导体材料的三氯氢硅,可能需要检测其对硅片的蚀刻性能等。

含量检测:测定三氯氢硅中特定元素或化合物的含量。

杂质含量测定:包括对三氯氢硅中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑等杂质元素的量进行测定。

总碳的测定:使用气相色谱法测定硅外延用三氯氢硅中总碳的含量。

其他氯硅烷含量的测定:使用气相色谱法测定硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷的含量。

泄漏的处理处置方法:三氯氢硅泄漏的应急处理和处置方法。

试验周期

三氯氢硅检测周期一般为7-10个工作日,根据具体需求,可以提供加急服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托。

检测标准(部分)

依据检测标准

GB/T 28654-2018 工业三氯氢硅

GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法

GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

HG/T 4683-2014 三氯氢硅泄漏的处理处置方法

T/CEMIA 015-2018 光纤预制棒用四氯化硅容器清洗技术规范

T/FSI 003-2016 气相二氧化硅生产用四氯化硅

YS/T 983-2014 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法

YS/T 987-2014 氯硅烷中碳杂质的测定方法

YS/T 1059-2015 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法

YS/T 1060-2015 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法

YS/T 1195-2017 多晶硅副产品 四氯化硅

YS/T 1392-2020 氯硅烷组分含量的测定 气相色谱法

服务信息

检测试验仪器

三氯氢硅检测所需的试验仪器包括:

手持式三氯氢硅检测仪、便携泵吸探杆式三氯氢硅气体检测仪、三氯氢硅HSiCl3检测仪等。

检测流程

确定测试对象与安排:确认测试对象并进行初步检查,确定样品寄送或上门采样安排;

制定验证实验方案:与委托方确认与协商实验方案,验证实验方案的可行性和有效性;

签署委托书:签署委托书,明确测试详情,确定费用,并按约定支付;

进行实验测试:按实验方案进行试验测试,记录数据,并进行必要的控制和调整;

数据分析与报告:分析试验数据,并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具符合要求的测试报告,并及时反馈测试结果给委托方。

检测流程

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