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晶体取向分析:确定晶粒的晶体学方向,具体检测参数包括欧拉角、取向差角和米勒指数。
晶界特性分析:识别晶界类型及其角度,具体检测参数包括晶界取向差、晶界分布图和晶界密度。
相识别与分布:区分材料中的不同物相,具体检测参数包括相比例、相分布图和成分映射。
应变场分析:评估材料内部应变状态,具体检测参数包括应变张量、局部取向梯度和晶格弯曲。
纹理分析:测量材料的择优取向,具体检测参数包括极图、反极图和取向分布函数系数。
晶粒尺寸测量:计算晶粒的平均尺寸,具体检测参数包括晶粒面积、等效直径和晶粒度分布。
孪晶结构分析:检测孪晶界及其类型,具体检测参数包括孪晶密度、孪晶取向关系和孪晶角度。
位错密度评估:估算位错网络密度,具体检测参数包括局部取向梯度、位错密度图和晶格畸变。
取向分布函数计算:描述晶体取向的统计特性,具体检测参数包括ODF系数和取向概率分布。
晶体缺陷分析:识别微观缺陷如空位和位错,具体检测参数包括缺陷密度、缺陷分布图和缺陷类型分类。
晶粒集群分析:研究晶粒聚集行为,具体检测参数包括晶粒簇大小、集群取向差和集群分布。
微观结构重建:构建三维微观模型,具体检测参数包括层析序列图像、三维取向图和体积分数。
金属合金材料:包括钢、铝合金和钛合金,用于微观结构表征和失效分析。
陶瓷材料:如氧化铝和碳化硅,用于相组成和晶界特性研究。
半导体器件:包括硅晶圆和化合物半导体,用于晶体缺陷和取向分布检测。
地质样品:如矿物和岩石,用于矿物相识别和结构分析。
生物材料:包括骨组织和牙齿,用于生物相容性和微观结构评估。
复合材料:如碳纤维增强聚合物,用于界面特性和晶粒取向分析。
薄膜涂层:包括溅射涂层和沉积膜,用于厚度均匀性和晶体结构检测。
纳米材料:如纳米颗粒和纳米线,用于尺寸分布和取向测量。
粉末冶金产品:包括烧结零件,用于孔隙分布和晶粒尺寸控制。
焊接接头:如钢焊接区,用于热影响区晶界和相变分析。
热处理样品:包括淬火钢,用于相变动力学和应变分布研究。
增材制造部件:如3D打印金属,用于微观结构优化和缺陷检测。
ISO24173:2009微束分析—电子背散射衍射分析方法
ASTME2627电子背散射衍射分析的标准实践
GB/T18876.1-2012电子背散射衍射分析方法
ISO24173:2023微束分析—电子背散射衍射分析更新方法
GB/T13298金属显微组织检验方法
ASTME3金相试样制备标准指南
扫描电子显微镜:产生高能电子束激发背散射电子信号,用于获取菊池花样和信号源定位。
背散射电子探测器:捕获菊池衍射花样信号,用于晶体取向和晶界角度分析。
样品定位台:提供精确倾斜和旋转控制,用于优化检测角度和区域扫描。
能谱分析仪:结合元素成分检测,用于相识别和成分映射。
数据处理软件:处理菊池花样数据,用于生成取向图、纹理分析和统计报告。
真空系统:维持高真空环境,用于防止样品污染和信号干扰。