检测服务
我们的服务
可控硅过零检测
检测范围
普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅、BTG可控硅、温控可控硅、光控可控硅、二极可控硅、三极可控硅、四极可控硅、导通可控硅等。
检测方法
基于光耦的过零检测：使用光耦合器(如PC817)构建过零检测电路，通过光耦的导通和截止来检测交流电的过零点。这种方法可以避免主电路和控制电路之间的直接电气连接，提高系统的安全性。
基于电压比较器的过零检测：使用电压比较器(如使用LM311)构建过零检测电路，当交流电压过零时，比较器输出会发生变化，从而实现过零检测。
基于单片机的过零检测：利用单片机的AD转换功能，对交流电压进行采样，并在软件中通过算法检测过零点。这种方法可以提供更灵活的控制策略和更高的检测精度。
基于霍尔效应传感器的过零检测：使用霍尔效应传感器检测交流电流的过零点，这种方法适用于电流控制的场合。
基于专用过零检测芯片：使用专用的过零检测芯片(如MOC3063)来实现过零检测，这些芯片通常具有快速响应和高稳定性的特点。
基于软件算法的过零检测：在数字控制电路中，通过软件算法对采样得到的电压信号进行分析，识别过零点。
基于三极管的非隔离过零检测：使用三极管构建非隔离过零检测电路，通过三极管的导通和截止来检测过零点，这种方法成本较低，但可能需要额外的电路来避免干扰。
试验周期
检测周期一般为7-10个工作日，根据具体需求，可以提供加急服务。
注意：因业务调整，暂不接受个人委托。
检测标准
DIN EN 60700-1-2016 压直流(HVDC)电力传输用可控硅阀.第1部分:电气试验
IEC 60143-4-2010 电力系统用串联电容器.第4部分:可控硅控制的的串联电容器
JIS C4402-2010 浮充电用可控硅整流器
KS C IEC 60747-6-2-2006 半导体器件.分立器件
IEEE C 62.37-1996 可控硅二极管缓冲保护装置试验规范
IEC 60700-1 Edition 1.1-2003 高压直流(HVDC)电力传输用可控硅阀.第1部分:电气试验
IEC 61954 Edition 1.1-2003 输电和配电用电力电子装置.静态变量补偿器用可控硅阀的试验
KS C IEC 60700-1-2002 高压直流(HVDC)传输用可控硅阀门.第1部分:电气试验
检测试验仪器
示波器、信号发生器、数字万用表、交流电源分析仪、光耦合器、电压比较器、单片机开发板、霍尔效应传感器、专用过零检测芯片、频率计、功率计、相位计、电阻、电容和电感测量仪、电路仿真软件、逻辑分析仪、电子负载、温度测试仪、电流传感器、电压传感器、绝缘电阻测试仪等。
检测流程
确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；
制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；
签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；
进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；
数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。
检测中心优势
检测中心资质
检测中心客户
