咨询热线: 400-635-0567

光刻胶的主要成分检测

光刻胶的主要成分检测

光刻胶成分检测涉及关键性能参数的量化分析,包括树脂单体纯度、溶剂残留量及添加剂比例测定。重点监测光敏引发剂含量、金属离子杂质浓度与聚合物分子量分布,确保材料符合微电子制造工艺要求。.

检测项目

树脂含量测定:主体成膜物质定量分析,参数包括固含量百分比和平均分子量

光敏引发剂浓度:感光活性组分检测,参数涵盖紫外吸收峰值波长和摩尔消光系数

溶剂残留量:挥发性有机化合物检测,参数包括甲苯/丙二醇单甲醚乙酸酯等溶剂ppm值

金属离子杂质:微量金属元素分析,参数含钠钾铁铜离子浓度(单位μg/kg)

聚合物分散度:分子量分布测试,参数涉及多分散系数(PDI)和重均分子量

酸值测定:羧基官能团含量检测,参数为中和单位质量样品所需氢氧化钾毫克数

粘度特性:流变性能评估,参数包含剪切速率25s⁻¹条件下的动力粘度(mPa·s)

水分含量:微量水分子检测,参数采用卡尔费休法测定ppm级含水量

颗粒污染物:不溶性微粒分析,参数通过激光衍射法统计≥0.2μm粒子数量

折射率:光学常数测量,参数在365nm波长下的折射率偏差值

热稳定性:分解温度测试,参数记录起始失重5%时的温度点(℃)

表面张力:液固界面特性检测,参数为室温下动态接触角测量值

检测范围

半导体g线光刻胶:适用于0.5μm以上线宽集成电路制造

i线光刻胶:365nm波长曝光用液态感光材料

KrF光刻胶:248nm深紫外光敏感型聚合物体系

ArF光刻胶:193nm浸没式光刻技术专用材料

EUV光刻胶:极紫外波段感光化学增幅型树脂

封装用光刻胶:芯片封装环节图形转移介质

触摸屏光刻胶:显示面板ITO蚀刻工艺感光层

PCB干膜光刻胶:印刷电路板图形制备用固态膜材

纳米压印胶:微纳结构复制用紫外固化树脂

彩色滤光片光刻胶:LCD面板RGB像素阵列材料

磁性光刻胶:磁存储器图案化专用感光体系

厚膜光刻胶:MEMS器件制造用高深宽比材料

检测标准

ISO14644-1洁净室颗粒污染物分级标准

ASTMD2196旋转粘度测试方法

GB/T12008.6-2010塑料聚醚多元醇酸值测定

IEC60749半导体器件机械与环境试验方法

GB/T6283-2008化工产品水分测定通用方法

SEMIC38-1100光刻胶金属杂质限值规范

ASTME1655紫外可见光谱定量分析通则

ISO11890-2涂料溶剂含量气相色谱法

GB/T21862-2008聚合物分子量分布测定

JISK5600-4-4涂膜耐化学试剂试验方法

检测仪器

气相色谱质谱联用仪:挥发性组分分离与定性,检测溶剂残留种类与浓度

电感耦合等离子体质谱仪:痕量金属元素分析,分辨率达ppt级杂质检测

凝胶渗透色谱仪:聚合物分子量分布测定,配备多角度激光散射检测器

傅里叶变换红外光谱仪:官能团结构表征,波数范围4000-400cm⁻¹

紫外可见分光光度计:光敏剂浓度定量分析,波长精度±0.1nm

旋转流变仪:粘度特性测试,剪切速率控制范围0.01-1000s⁻¹

热重分析仪:热稳定性评估,升温速率0.1-100℃/min可控