半导体晶圆检测

检测项目

表面缺陷检测：识别晶圆表面划痕、颗粒和污染缺陷。参数：缺陷尺寸检测范围0.1-100μm，密度上限10/cm²。

厚度测量：评估晶圆整体厚度均匀性。参数：厚度精度±0.1μm，测量范围100-1000μm。

表面粗糙度分析：测定表面光洁度水平。参数：粗糙度Ra值范围0.1-10nm，分辨率0.01nm。

晶向偏差检测：确定晶格结构取向。参数：角度偏差精度±0.1°，检测范围0-360°。

电阻率测试：测量电导特性。参数：电阻率范围0.001-1000Ω·cm，精度±1%。

氧化层厚度测定：分析硅氧化物层厚度。参数：厚度测量精度±1nm，范围1-1000nm。

金属层厚度评估：检测沉积金属层厚度。参数：厚度精度±2nm，范围10-1000nm。

掺杂浓度分析：量化杂质浓度分布。参数：浓度检测下限10^15atoms/cm³，范围10^14-10^20atoms/cm³。

几何尺寸测量：评估晶圆直径和平整度。参数：直径公差±0.1mm，平整度精度±0.5μm。

洁净度检验：检测表面污染物颗粒。参数：颗粒尺寸下限0.3μm，计数上限1000/晶圆。

检测范围

硅晶圆：半导体集成电路制造的核心基材。

砷化镓晶圆：高频电子器件应用材料。

光刻胶层：光刻工艺中的光敏涂层材料。

氧化硅绝缘层：晶圆表面绝缘保护层。

多晶硅电极层：晶体管结构电极材料。

金属化互连层：电路连接金属沉积层。

钝化保护层：防腐蚀和绝缘涂层。

晶圆切割道区域：晶圆分割工艺区域。

边缘排除区：晶圆边缘处理区域。

晶圆背面处理：晶圆背面涂层和蚀刻应用。

检测标准

ASTMF1526晶圆表面缺陷检测规范。

ISO14644-1洁净室颗粒控制标准。

GB/T2828.1抽样检验程序要求。

SEMIM1晶圆尺寸和几何公差标准。

ISO9001质量管理体系框架。

GB/T19001中国质量管理标准体系。

ASTME112晶粒尺寸测定方法。

ISO14644-2洁净室性能测试标准。

检测仪器

扫描电子显微镜：高分辨率表面成像仪器。功能：检测微观缺陷和表面形貌。

原子力显微镜：表面形貌测量设备。功能：评估粗糙度和纳米级结构。

椭偏仪：薄膜厚度分析仪器。功能：测量氧化层和金属层厚度。

四点探针：电阻率测试设备。功能：测定电导性能和掺杂浓度。

光学显微镜：表面缺陷观察仪器。功能：初步缺陷识别和洁净度检验。