咨询热线: 400-635-0567
硅含量光谱分析:采用发射光谱技术测定硅元素浓度。检测参数包括范围0.001%~15%,精度±0.002%。
X射线荧光光谱法:非破坏性分析硅含量,适用于快速检测。检测参数包括分辨率0.01%,检出限0.005%。
原子吸收光谱法:基于原子吸收原理测定硅含量。检测参数包括波长251.6nm,吸光度精度±0.01。
电感耦合等离子体发射光谱:高精度元素分析硅及其他成分。检测参数包括检测下限0.0005%,线性范围0~20%。
熔融法硅含量测试:高温熔融后定量硅元素。检测参数包括熔融温度1600°C,误差±0.1%。
中子活化分析:利用中子辐射精确测定硅同位素。检测参数包括精度±0.0001%,检测时间30分钟。
激光诱导击穿光谱:现场快速硅含量分析。检测参数包括检出限0.05%,重复性±0.5%。
硅化物相检测:识别合金中硅化合物形态。检测参数包括相定量精度±0.05%,检出限0.1%。
滴定法硅含量:化学滴定分析硅浓度。检测参数包括滴定终点判定误差±0.02mL,范围0.1%~10%。
质谱法硅同位素:分析硅元素同位素分布。检测参数包括质量分辨率0.1amu,精度±0.001%.
航空航天涡轮叶片:高温环境下使用的发动机组件。
核反应堆结构材料:抗辐射和高温的核能设备部件。
化工反应器内衬:耐腐蚀化学容器材料。
海洋平台结构件:海水腐蚀环境中的工程构件。
汽车排气系统部件:高温废气处理的合金组件。
医疗植入器械:生物兼容性高的外科植入材料。
石油钻探工具:高强度耐磨损的地下钻井设备。
热处理炉元件:长期高温操作的工业炉部件。
电子散热模块:高效导热电子封装材料。
刀具涂层基材:耐磨表面处理的切削工具基底。
ASTME354镍合金化学分析方法。
ISO4947镍基合金硅含量测定标准。
GB/T223.59钢铁及合金硅含量的测定方法。
ASTME1473镍合金光谱分析规范。
ISO5725测试方法精度评估指南。
GB/T20123金属材料元素分析通用规程。
等离子体发射光谱仪:用于硅元素定量分析,检测下限0.001%。
X射线荧光仪:非破坏性硅含量测定,分辨率0.01%。
扫描电子显微镜:观察硅分布形貌,放大倍数10000x。
原子吸收分光光度计:测量硅原子吸收特性,波长范围190~900nm。
激光诱导击穿装置:现场快速硅分析,脉冲能量100mJ。