检测项目
碳化硅检测体系包含四大核心模块：化学成分分析重点测定总碳含量、游离硅残留及金属杂质浓度；物理性能测试涵盖密度测定（阿基米德法）、维氏硬度（HV）与抗弯强度评估；微观结构表征涉及晶粒尺寸分布、孔隙率及晶界特性分析；功能性指标包括热导率（激光闪射法）、介电常数（谐振腔法）及耐腐蚀性（酸碱浸泡试验）。特殊应用场景需增加载流子浓度（霍尔效应测试）和表面粗糙度（白光干涉仪）专项检测。
检测范围
检测对象覆盖工业级碳化硅粉体（粒径50nm-5μm）、烧结陶瓷制品（纯度≥98%）、单晶衬底（4H/6H晶型）及CVD沉积薄膜（厚度0.1-100μm）。具体应用场景包括：功率半导体器件的晶圆级缺陷筛查、耐火材料的热震稳定性验证、核反应堆密封组件的辐照损伤评估。针对再生碳化硅材料需额外开展重金属浸出毒性（TCLP法）与放射性核素活度（γ能谱仪）专项检测。
检测方法
X射线荧光光谱（XRF）用于主量元素定量分析，检出限达10ppm；电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）实现痕量金属杂质（Fe、Al、Ca等）ppb级测定。晶体结构解析采用X射线衍射（XRD）结合Rietveld精修算法，可识别α-SiC与β-SiC相含量差异±0.5%。扫描电镜-能谱联用系统（SEM-EDS）执行微观形貌观测与元素面分布成像，空间分辨率优于5nm。热膨胀系数通过推杆式膨胀仪在20-1600℃区间测量，升温速率可控于0.5-10K/min。
检测仪器
检测流程
确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；
制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；
签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；
进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；
数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。
