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晶圆翘曲度检测涵盖以下核心参数:
总厚度变化(TTV):测量晶圆表面最高点与最低点的垂直距离差,要求300mm晶圆TTV≤2μm
局部翘曲度:采用25×25mm网格划分进行区域形变分析
弯曲半径
残余应力分布:结合X射线衍射与拉曼光谱进行晶体结构分析
表面形貌特征:识别微米级凹陷/凸起等局部缺陷
本检测适用于以下场景:
分类维度 | 具体范围 |
---|---|
晶圆尺寸 | 4英寸至12英寸标准规格晶圆 |
材料类型 | 单晶硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体 |
工艺阶段 | 切割后裸片/薄膜沉积后/退火处理后的形态变化监测 |
应用领域 | 集成电路/MEMS传感器/功率器件等半导体产品 |
主流检测技术体系包含以下三类方法:
激光干涉法
采用632.8nm氦氖激光源构建迈克尔逊干涉系统
通过条纹偏移量计算表面高度差,分辨率达0.1nm
适用于透明衬底的双面同步测量
电容式测距法
配置多探针阵列实现全自动扫描测量
工作频率1-10MHz时测量精度±0.25μm
支持在线实时监测生产过程中的形变趋势
白光干涉三维重建法
使用LED宽谱光源获取干涉相位信息
垂直扫描步进精度0.1μm,横向分辨率1μm
可生成三维形貌云图进行可视化分析
标准实验室配置包含以下设备系统:
KLA-Tencor WaferSight 2系统
- 双通道激光干涉模块
- 最大支持450mm晶圆
- TTV重复性±0.15μm@3σ
Zygo Verifire MST平面度测量仪
- 12英寸Fizeau干涉仪
- 2560×2160像素CCD
- PV值测量精度±3nm
Tropel FlatMaster®系列
- 多波长扫描技术
- 测量速度15s/300mm晶圆
- 温度补偿范围18-26℃±0.1℃
辅助设备组
- 恒温载物台(±0.05℃)
- 真空吸附夹具(≤10⁻³Pa)
- ASTM E2847标准校准模块组
所有测试数据需依据SEMI M73-0309进行环境补偿修正,实验室应维持ISO Class5洁净度与±0.5℃温控条件。原始数据记录需包含时间戳、设备序列号及操作者ID等溯源信息。
确定测试对象与安排:确认测试对象并进行初步检查,确定样品寄送或上门采样安排;
制定验证实验方案:与委托方确认与协商实验方案,验证实验方案的可行性和有效性;
签署委托书:签署委托书,明确测试详情,确定费用,并按约定支付;
进行实验测试:按实验方案进行试验测试,记录数据,并进行必要的控制和调整;
数据分析与报告:分析试验数据,并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具符合要求的测试报告,并及时反馈测试结果给委托方。