薄膜介电常数检测

检测项目

薄膜介电常数检测主要包含以下核心指标：

相对介电常数（ε_r）：表征材料在电场作用下的极化能力

介质损耗角正切（tanδ）：反映材料能量损耗特性

击穿场强（E_b）：测定材料绝缘失效临界电场强度

频率响应特性：分析10Hz-1MHz范围内介电参数频变规律

温度稳定性：评估-50℃至200℃温域内介电性能变化率

测试需遵循IEC 60250、ASTM D150等国际标准规范操作流程。

检测范围

本检测适用于以下薄膜材料体系：

检测方法

平行板电容法（Contacting Electrode Method）

计算公式：ε_r=C_x/C₀, C_x=ε₀

边缘效应修正采用保护环结构实现误差≤0.2%

谐振腔法（Cavity Perturbation Technique）

介电常数计算式：Δ(1/f)=K(ε_r-1)V_S/V_C
特别适用于低损耗薄膜的高频特性表征

Terahertz时域光谱法（THz-TDS）

非接触式测量避免电极效应干扰

检测仪器

精密阻抗分析仪系统

Agilent 4294A型精密阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz,基本精度±0.08%

TEM腔体夹具：16453A型介质测试套件,支持10kHz-30MHz测量

Aglient 16451B型固体介质夹具：电极间距分辨率0.1μm

Triton Technology低温恒温系统：控温精度±0.1K

微波网络分析系统

CST微波工作室仿真平台：支持3D全波电磁场建模

Ceyear 3672B矢量网络分析仪：频率范围10MHz-20GHz

Cascade Summit 12000探针台：定位精度±0.5μm

CST DTC-18高温测试腔：最高工作温度600℃

Terahertz时域光谱仪组

TeraView TPS Spectra 3000系统：动态范围＞60dB

CryoVac低温样品室：温度调节范围4K-300K

Teflon准直透镜组：焦距误差＜λ/20@1THz

CVD金刚石窗口片：透过率＞95%@0.1-4THz

所有仪器均通过NIST可溯源校准体系认证。

检测流程

确定测试对象与安排：确认测试对象并进行初步检查，确定样品寄送或上门采样安排；

制定验证实验方案：与委托方确认与协商实验方案，验证实验方案的可行性和有效性；

签署委托书：签署委托书，明确测试详情，确定费用，并按约定支付；

进行实验测试：按实验方案进行试验测试，记录数据，并进行必要的控制和调整；

数据分析与报告：分析试验数据，并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具符合要求的测试报告，并及时反馈测试结果给委托方。