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光伏材料核心检测体系包含四大类28项关键技术指标:
光电特性指标:开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、最大功率点(Pmax)、填充因子(FF)、量子效率(EQE)、光谱响应度(SR)
材料结构特性:晶体缺陷密度(EPD)、少子寿命(τ)、载流子迁移率(μ)、掺杂浓度(Nd/Na)、晶格取向偏差(Δθ)
机械性能指标:抗弯强度(σb)、杨氏模量(E)、断裂韧性(KIC)、热膨胀系数(CTE)、粘接层剥离强度(Fad)
环境耐受性:湿热循环(85℃/85%RH)、紫外老化(15kWh/m²)、盐雾腐蚀(5%NaCl)、PID电势诱导衰减(-1000V/96h)
材料类型 | 适用标准 | 关键参数 |
---|---|---|
单晶硅片 | GB/T 25076-2010 | 氧碳含量≤5×10¹⁷ atoms/cm³ |
多晶硅锭 | IEC 60904-3:2019 | 晶粒尺寸≥5mm² |
CIGS薄膜 | ASTM E2141-21 | Cu/(In+Ga)=0.85-0.95 |
PERC电池片 | T/CPIA 0013-2022 | 背面钝化AlOx厚度80-120nm |
EVA胶膜 | UL 746C:2023 | 交联度75-85% |
背板材料 | IEC 62788-2:2017 | 水汽透过率≤1.5g/m²·day |
IV特性测试法:依据IEC 60904-1标准搭建AAA级太阳模拟器系统,在STC条件(1000W/m², AM1.5G, 25℃)下测量电流-电压曲线特征参数。
光致发光检测法(PL):采用785nm激光激发样品表面,通过InGaAs探测器采集载流子复合辐射强度分布图像(分辨率≤50μm),解析材料缺陷分布状态。
二次离子质谱法(SIMS):使用Cs⁺离子束溅射样品表面(溅射速率0.5nm/s),深度分辨率达1nm级,可定量分析B/P/O等掺杂元素纵向分布。
加速老化试验法:依据IEC 61215-MQT序列执行湿热循环(-40℃→85℃, 600次)、机械载荷(5400Pa, 3次)及冰雹冲击(25mm冰球, 23m/s)等环境应力测试。
X射线衍射法(XRD):采用θ-2θ联动扫描模式(Cu Kα辐射, λ=0.15406nm),通过Rietveld精修计算晶体结构参数(晶格常数偏差≤0.001Å)。
A级太阳模拟器系统
- 光谱匹配度AM1.5G±25%
- 辐照不均匀度≤2%
- 时间不稳定度≤0.5%
- I-V曲线扫描分辨率10μs/点
量子效率测试仪
- 波长范围300-1200nm
- 单色光带宽5nm
- 偏置光源强度可调范围0.1-1.5sun
- EQE绝对误差≤1%
傅里叶红外光谱仪(FTIR)
- 波数范围4000-400cm⁻¹
- 分辨率4cm⁻¹
- ATR附件折射率范围1.3-4.0
- 信噪比≥30,000:1(4cm⁻¹, 1分钟)
动态机械分析仪(DMA)
- 温度范围-150~600℃
- 频率范围0.01-100Hz
- 力值分辨率0.0001N
- 应变测量精度±0.05%
氙灯老化试验箱
- 辐照强度0.35~1.20W/m²@340nm
- 黑板温度控制范围25~100℃
- 湿度控制范围10~90%RH
- 光谱监控符合ISO 4892-2标准
确定测试对象与安排:确认测试对象并进行初步检查,确定样品寄送或上门采样安排;
制定验证实验方案:与委托方确认与协商实验方案,验证实验方案的可行性和有效性;
签署委托书:签署委托书,明确测试详情,确定费用,并按约定支付;
进行实验测试:按实验方案进行试验测试,记录数据,并进行必要的控制和调整;
数据分析与报告:分析试验数据,并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具符合要求的测试报告,并及时反馈测试结果给委托方。