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多层板品质检测体系包含基础材料验证与成品性能评估两大维度:
基材性能:FR-4环氧树脂玻璃布基板的厚度公差(±5%)、介电常数(4.2-4.8@1MHz)、玻璃化转变温度(Tg≥130℃)及热膨胀系数(CTE≤50ppm/℃)
层间结合力:通过剥离强度测试评估铜箔与基材的结合力(≥1.0N/mm),采用热应力试验(288℃/10s)验证三次浸锡后的分层情况
导通孔质量:包含孔壁粗糙度(Ra≤35μm)、镀铜厚度(25±5μm)、孔内树脂残留(≤5μm)及微裂纹(长度<50μm)四项核心参数
图形精度:线路宽度公差(±10%)、焊盘直径偏差(±0.05mm)、阻焊膜厚度(15-25μm)及对准精度(层间偏移≤75μm)
耐环境性:湿热循环(85℃/85%RH/1000h)、盐雾试验(5%NaCl/35℃/48h)、高温存储(150℃/1000h)后的电气性能保持率
产品类型 | 层数范围 | 基材类型 | 表面处理 |
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刚性多层板 | 4-32层 | FR-4/高频PTFE/金属基 | 化金/化银/OSP |
HDI板 | 6-16层 | 低损耗材料 | 沉镍金/电镀硬金 |
软硬结合板 | 4-12层 | 聚酰亚胺+FR4混合 | 选择性化金 |
适用领域:5G通信基站/航空航天电子/新能源汽车控制系统/医疗影像设备等高可靠性场景 |
金相切片分析:按IPC-TM-650 2.1.1标准制备剖面样本,使用400倍显微镜测量镀铜厚度及孔壁质量
热机械分析(TMA):以5℃/min速率升温至280℃,记录Z轴方向CTE变化曲线
时域反射计(TDR):采用上升时间35ps的脉冲信号测试特征阻抗(50Ω±10%)及信号完整性
红外热成像:施加额定电流负载后监测温度分布均匀性(ΔT≤15℃)
离子污染测试:依据IPC-TM-650 2.3.25进行动态萃取,测量NaCl当量值(≤1.56μg/cm²)
三维形貌扫描:使用白光干涉仪测量焊盘共面度(≤15μm)及阻焊开窗精度(±25μm)
自动光学检测系统(AOI)
配备10μm级线阵CCD与多光谱照明模块,实现每小时120片基板的缺陷扫描能力
X射线分层成像仪
130kV微焦点射线源配合16bit平板探测器,可解析5μm级的内层线路缺陷与埋孔结构
高频网络分析仪
40GHz矢量网络分析系统支持S参数测量与介电损耗角正切值(tanδ)计算(精度±0.0005)
万能材料试验机
500N载荷传感器配合恒温箱(-55~150℃),完成剥离强度与弯曲疲劳测试(≥500次循环)
氦质谱检漏仪
可检出1×10-9 Pa·m3/s级漏率,用于气密封装基板的可靠性验证
激光导热系数仪
闪光法测量XY方向导热系数(0.3-12W/mK),满足高功率PCB的热管理评估需求
典型缺陷判定标准示例表(IPC-A-600H) | ||
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缺陷类型 | A级允收标准 | C级拒收标准 |
铜箔空洞率 | <5%区域面积比 | >10%区域面积比或贯穿性空洞 |
阻焊桥断裂宽度 | <25μm局部断开允许修补 | >50μm连续断开或影响焊接区域 |
内层错位量 | <75μm(4-8层板) | >125μm导致最小绝缘间距不足 |
注:具体判定需结合产品应用等级与客户技术协议要求 |
关键指标测量需在23±2℃/50±5%RH恒温恒湿环境下进行, 所有计量设备应通过CNAS认可的校准机构进行年度量值溯源, 测量不确定度需控制在公差范围的1/3以内。
TMA测试前需对样品进行150℃/1h预烘烤消除热历史效应
金相切片制备时应佩戴防尘口罩避免吸入环氧树脂粉尘
X射线设备操作人员年累积剂量不得超过20mSv
典型检测流程:来料验收→预处理(48h温湿度平衡)→外观初检→ 非破坏性测试(AOI/X-ray)→破坏性测试(切片/剥离)→ 环境试验→数据汇总→报告签发(含原始记录存档)
异常数据处理原则:同一批次出现≥3%不合格样本时启动全检流程, 关键参数CPK值<1.33时需反馈制程改善建议, 所有超差数据必须执行根本原因分析(RCA)并保留8D报告。
合格报告应包含CMA/CNAS标识, 国际订单需同步提供英文版报告及符合UL796、 IEC61249-2-21等标准的符合性声明。
确定测试对象与安排:确认测试对象并进行初步检查,确定样品寄送或上门采样安排;
制定验证实验方案:与委托方确认与协商实验方案,验证实验方案的可行性和有效性;
签署委托书:签署委托书,明确测试详情,确定费用,并按约定支付;
进行实验测试:按实验方案进行试验测试,记录数据,并进行必要的控制和调整;
数据分析与报告:分析试验数据,并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具符合要求的测试报告,并及时反馈测试结果给委托方。