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红外发射管检测

发布时间:2021-12-22 10:32:30 - 关键词:红外发射管检测 - 点击数: - 栏目:电子电器检测

检测概述

红外发射管检测什么单位能做,有哪些检测项目?中化所检测中心为您提供的红外发射管检测服务,依照SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则等相关标准及非标准方法对红外发射管检测的反向电压、反向电流、辐射功率、辐射强度等项目进行分析测试。

测试内容

中化所检测中心提供的红外发射管检测的适用样品包括:直射型红外发射管、反射型红外发射管、医疗仪器红外发射管、空间光通信红外发射管、红外照明红外发射管、电器的遥控红外发射管等。

测试项目:

光电转换效率、结温、热阻、反向电压、反向电流、辐射功率、辐射强度、峰值发射波长、光谱辐射带宽、辐射通量、调制带宽、响应时间、辐射强度空间分布、半强度角、串联电阻、正向电压、总电容、辐射功率温度系数等。

红外发射管检测

参照标准

GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分;光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范

SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

SJ/T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分:结温

SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻

SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率

SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽

SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量

SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则

SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽

SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间

SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻

SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压

SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容

SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数

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其他信息

红外发射二级管由红外辐射效率高的材料(常用砷铝化家GaAIAs)制成PN结,外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长830~950nm,半峰带宽约40nm左右,它是窄带分布,为普通CCD黑白摄像机可感受的范围。

检测流程

1.在线或电话咨询,沟通测试项目;

2.寄送样品或上门取样,确认实验方案;

3.签署保密协议,支付测试费用;

4.整理实验数据,出具测试报告;


本文地址:http://www.yjssan.com/keyanshiyanshi/dianzidianqijiance/4491.html

红外发射管检测其它介绍:

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