联系我们

功率器件参数测试

功率器件参数测试

功率器件参数测试

项目简介

功率器件参数测试哪里可以做呢?中化所检测中心作为一家综合性的科研检测机构,在功率器件参数测试有着丰富的技术经验积累,实验室拥有众多的国内外先进仪器设备,能够实现对不同样品的标准或非标准项目进行检验测试,在客户的生产、销售、质控等方面提供科学严谨的数据支持并出具测试报告。

如果您有相关检测需求请与我们取得联系。

  • 相关内容:

中化所检测中心提供的安全鞋检测的适用样品包括:MOS控制晶闸管、IGCT、电子注入增强栅晶体管、集成电力电子模块、电力电子积木、超大功率晶闸管、脉冲功率闭合开关晶闸管、集成门极换流晶闸管等。

测试项目:

承受电压、电流容量、开关速度、开关损耗、耐脉冲电流冲击、通态压降、输入阻抗、驱动功率、耐压试验、开关特性、饱和压降等。

参考标准

GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范

GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

GB/T 28511.1-2012 平面光波导集成光路器件.第1部分:基于平面光波导(PLC)的光功率分路器

GB/T 18311.31-2007 纤维光学互连器件和无源器件 基本试验和测量程序 第3-31部分:检查和测量 纤维光学光源耦合功率比测量

GB/T 18310.14-2003 纤维光学互连器件和无源器件 基本试验和测量程序 第2-14部分;试验-最大输入功率

JIS C5920-3-2017 光纤无源功率控制器件. 第3部分: 非连接器化单模光纤电控可变光衰减器

SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范

SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

相关信息

功率半导体为半导体重要组成,是进行电能(功率)处理的核心器件,用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装,MOSFET和IGBT是目前最主要、价值含量最高、技术壁垒最高的功率器件,对应的是中低压与高压大功率,广泛应用于新能源汽车、工业控制、家电、消费电子等领域。

检测流程

1.在线或电话咨询,沟通测试项目;

2.寄送样品或上门取样,确认实验方案;

3.签署保密协议,支付测试费用;

4.整理实验数据,出具测试报告;

增值服务:

检验测试:提供材料、食品、化工、高分子、微生物、纺织品、电工电子、机械设备等领域的检验测试服务;

技术服务:提供未知物分析、成分分析、元素分析、性能测试、微观观察等服务。

推荐阅读