分子荧光量子产率测定

检测项目

绝对量子产率测定：采用积分球法直接测量样品发射的全部光子数与吸收的光子数之比，无需参比物质，适用于溶液和固体样品。

相对量子产率测定：选用已知量子产率的标准物质作为参比，在相同条件下比较待测样品与参比的荧光强度，计算得到待测样品的量子产率。

激发光谱校正：校正激发光源强度随波长变化的分布，确保不同激发波长下入射光强度的准确性，消除仪器响应差异。

发射光谱校正：校正荧光检测系统对不同波长光子的响应效率，将测得的信号强度转换为真实的相对光子数分布。

吸收光谱测量：精确测量样品在特定激发波长下的吸光度，用于计算样品对光的吸收效率，是量子产率计算的基础参数。

内滤效应评估与校正：评估高浓度样品因自吸收和再吸收现象导致的荧光信号衰减，并进行数学或实验校正以提高测量精度。

溶剂折射率校正：当待测样品与参比标准使用不同溶剂时，需根据溶剂的折射率差异对测量的荧光强度进行校正。

温度控制与影响分析：研究并控制温度对荧光量子产率的影响，通常在恒温条件下进行测量以保证结果的重复性和可比性。

氧淬灭效应评估：评估溶解氧对荧光物质的淬灭作用，通常通过脱气处理消除氧淬灭对量子产率测定结果的干扰。

光稳定性测试：在连续光照下监测样品荧光强度的变化趋势，评估光漂白效应对单次测量结果可靠性的潜在影响。

检测范围

有机小分子荧光染料：包括罗丹明、荧光素等经典染料及其衍生物，评估其在可见光区的发光效率与应用潜力。

高分子荧光材料：如共轭聚合物、荧光高分子纳米粒子等，测定其固态或溶液状态下的聚集诱导发光等特性。

量子点材料：包括CdSe、ZnS等无机半导体纳米晶，表征其尺寸依赖的荧光量子产率及光学性能。