掩模版透射电子显微检验检测

检测项目

晶格结构表征：评估晶体排列完整性。检测参数包括晶格常数偏差测量精度0.01，选区电子衍射分析范围50nm。

缺陷密度分析：量化位错与层错。检测参数包含位错密度测量下限10⁶/cm，层错能计算误差5%.

元素成分分布：测定材料元素偏析。检测参数为能谱仪元素映射分辨率5nm，成分分析精度0.5at%.

界面特性检验：观测多层结构界面状态。检测参数涉及界面粗糙度测量范围0.1-10nm，扩散层厚度分辨率0.2nm.

临界尺寸测量：量化图形线宽精度。检测参数含线宽测量重复性0.3nm，边缘粗糙度分析精度0.5nm.

污染颗粒检测：识别表面及亚表面污染物。检测参数包括颗粒尺寸检测下限3nm，元素识别能力C以上元素。

薄膜厚度标定：测量各功能层厚度。检测参数为厚度测量精度0.5nm，多层结构分层识别能力。

应力分布测绘：分析内部应力场。检测参数涵盖应变场测量分辨率2nm，应力分布图空间精度10MPa.

相结构鉴定：确认材料相组成。检测参数含电子衍射相识别准确度99%，非晶/晶相区分能力。

电子束敏感度测试：评估辐照损伤阈值。检测参数为电子束流密度控制范围10-10⁵A/m，损伤形貌观测分辨率1nm.

能带结构分析：测定电子态密度分布。检测参数包括电子能量损失谱能量分辨率0.8eV，带隙测量误差0.05eV.

检测范围

半导体光刻掩模版：铬基及相移掩模图形结构完整性验证。

纳米压印模板：纳米压印模具的图形转移精度评估。

X射线掩模版：多层膜结构界面特性分析。

极紫外掩模基板：低热膨胀基材晶格缺陷检测。

电子束光刻掩模：高分子抗蚀剂剖面形貌表征。

微机电系统模板：微结构侧壁粗糙度测量。

光子晶体模板：周期性结构参数标定。

量子点制备模板：纳米孔阵列尺寸均匀性检验。

平板显示光掩模：大尺寸面板缺陷定位分析。

集成电路母版：亚10nm节点图形关键尺寸验证。

光学衍射元件：微纳结构形貌重建。

纳米压印胶模板：聚合物残留厚度分布测绘。

检测标准

ISO21348-2013微束分析标准术语规范

ASTME2809-22透射电镜放大倍率校准方法

GB/T27788-2011微束分析能谱定量分析通则

ISO16700-2016扫描电镜分辨率测试方法

GB/T34872-2017纳米尺度薄膜厚度测量方法

ASTMF1877-21半导体掩模缺陷检测标准

ISO21363-2020纳米材料粒径分布透射电镜测定

GB/T33243-2016微束分析电子背散射衍射分析方法

ISO22493-2018微束分析扫描电镜图像放大校准

GB/T35031-2018纳米技术透射电镜样品制备规范

检测仪器

场发射透射电子显微镜：电子束加速电压范围80-300kV。功能为实现原子级分辨率成像及衍射分析。

电子能量损失谱仪：能量分辨率≤0.7eV。功能为元素化学态分析与能带结构测量。

高角度环形暗场探测器：原子序数对比度分辨率0.2nm。功能为元素分布测绘及重元素定位。

原位样品拉伸台：位移控制精度1nm。功能为动态观测应力作用下微结构演变。

低温样品转移系统：温度控制范围-170C至室温。功能为热敏感材料无损检测。

三维重构系统：倾转范围70。功能为纳米结构立体形貌重建。

电子束曝光附件：束斑尺寸调节范围1-100nm。功能为微区图形刻写与定位分析。