本检测系统介绍了电子衍射分析这一重要的材料结构表征技术。文章详细阐述了电子衍射分析的四大核心方面:检测项目、检测范围、检测方法及检测仪器设备。每个部分均列举了十个具体条目,涵盖了从晶体结构确定、物相鉴定到缺陷分析等关键应用领域,旨在为读者提供一份全面且结构清晰的技术参考。

核心优势

检测中心实验室配备国内外的前沿分析检测设备,检测报告获得CNAS、CMA双重认证,国际互认。

检测流程

1 需求沟通
2 方案定制
3 取样/送检
4 实验检测
5 数据分析
6 出具报告

检测项目

晶体结构确定:通过衍射斑点或环的几何排列,确定未知晶体的晶系、点阵类型和晶胞参数。

物相鉴定:将获得的衍射花样与标准数据库(如JCPDS卡片)对比,实现对材料中不同物相的精确识别。

晶体取向分析:确定单个晶粒或特定区域的晶体学取向,用于织构研究和取向关系分析。

晶粒尺寸与形貌:利用衍射环的宽度或斑点尺寸,估算纳米晶或微晶的平均尺寸,并与形貌像关联。

晶体缺陷分析:观察衍射衬度变化,用于分析位错、层错、孪晶等晶体缺陷的类型和分布。

应力/应变测量:通过精确测量衍射斑点的位移或衍射环的半径变化,计算材料内部的局部应力或应变。

有序度分析:在有序合金或化合物中,通过观察超点阵衍射斑点来评估原子有序化的程度。

非晶与纳米晶鉴别:区分非晶态的弥散环与纳米晶的锐利环,判断材料的结晶状态。

界面与表面结构:研究异质结、薄膜表面或界面的原子排列和晶体学关系。

相变研究:原位观察材料在温度、应力等外场作用下发生的相变过程及其晶体学特征演变。

检测范围

金属与合金:分析各种金属、合金的相组成、析出相、晶界结构及加工过程中的组织演变。

半导体材料:用于鉴定半导体薄膜、量子点、纳米线的晶体结构、缺陷和异质外延质量。

陶瓷与耐火材料:确定复杂氧化物、氮化物、碳化物等陶瓷相的晶体结构和多型体。

高分子与聚合物:研究部分结晶聚合物的晶体形态、晶型及分子链的排列方式。

纳米材料:是表征纳米颗粒、纳米线、纳米管等低维材料晶体结构的核心手段。

矿物与地质样品:对微米级甚至更小的矿物颗粒进行物相鉴定和结构分析。

生物矿物与硬组织:如骨骼、牙齿、贝壳中生物矿物的晶体结构、取向及其与有机质的关系。

催化剂材料:分析负载型催化剂中活性组分的晶相、粒径、分散度及载体相互作用。

薄膜与涂层:表征各种功能薄膜、防护涂层的晶体结构、织构、内应力及界面结构。

先进功能材料:包括超导材料、磁性材料、铁电材料等,分析其独特的晶体结构与性能关联。

检测方法

选区电子衍射:使用SAED光阑在透射电镜中选择微米级区域,获得该区域的单晶或多晶衍射花样。

微束电子衍射:利用高度会聚的电子束(纳米甚至亚纳米尺度)对极微小区域进行衍射分析。

会聚束电子衍射:CBED通过分析会聚束形成的明暗盘及高阶劳厄带,可获取三维倒易空间信息及晶体对称性。

高分辨电子衍射

高角环形暗场像-扫描透射电子显微术衍射:在STEM模式下同步获取原子分辨Z衬度像和对应位置的纳米束电子衍射花样。

旋转电子衍射:通过连续倾斜样品或电子束,收集一系列衍射图样,用于复杂晶体(如MOFs、蛋白质晶体)的结构解析。

原位电子衍射:在加热、冷却、加电、拉伸等原位条件下进行衍射,动态研究材料的结构演变过程。

电子背散射衍射:EBSD在扫描电镜中进行,通过分析菊池花样,获得样品表面大范围的晶体取向和相分布信息。

透射菊池衍射:在透射电镜中获取菊池花样,用于精确的晶体取向测定和应变测量。

能量过滤电子衍射

能量过滤电子衍射:利用能量过滤器选择特定能量损失的电子形成衍射花样,减少非弹性散射背景,提高信噪比。

检测仪器设备

透射电子显微镜:是进行电子衍射分析的核心平台,提供高分辨成像与多种衍射模式的操作能力。

扫描电子显微镜(配备EBSD探测器):用于块体样品表面或断口的EBSD分析,实现大面积的晶体取向测绘。

场发射枪电子源:提供高亮度、高相干性的电子束,是实现微区衍射和高质量CBED的关键部件。

双倾/多倾样品台:允许样品在多个方向上进行精确倾转,以获取特定晶带轴的衍射花样或进行三维重构。

选区光阑与聚光镜光阑:分别用于在物镜像平面选择分析区域和调节入射束的会聚角。

CCD相机或直接电子探测器:用于快速、灵敏地记录和数字化存储电子衍射花样。

能量过滤器

能量过滤器:如GIF系统,可进行能量过滤成像和衍射,获得弹性散射信息。

原位样品杆:包括加热杆、冷冻杆、电学测量杆等,使衍射分析能在特定环境或外场下进行。

EBSD探测器:通常为高灵敏度CCD或CMOS相机,用于快速采集和解析菊池花样。

电子衍射模拟软件:如JEMS、DigitalMicrograph插件等,用于模拟衍射花样以辅助标定和结构解析。

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